110 éve, 1905. január 29-én Szentesen született Szigeti György mérnök-fizikus; a budapesti József Nádor Műszaki és Gazdaságtudományi Egyetemen szerzett gépészmérnöki oklevelet 1926-ban.

1926-ban az Egyesült Izzólámpa és Villamossági Rt. (Tungsram) Kutatólaboratóriumában kapott állást, és 1953-ig ott dolgozott. A Tungsram Kutatólaboratórium számított akkoriban a magyarországi alkalmazott fizika legfontosabb kutatóműhelyének. A laboratórium igazgatói posztját 1935-től Bay Zoltán töltötte be. Magát a laboratóriumot 1950-ben a Távközlési Kutatóintézet (TKI) vette át, Szigeti a TKI 2 sz. Laboratóriumnál (TKI2) folytatta igazgatói munkáját. 1953-ban a KGM az ő javaslatára hozta létre a Híradástechnikai Ipari Kutatóintézetet (HIKI), ő lett az első igazgatója. 1956-ban megalapította a Műszaki Fizikai Kutatóintézet (MFKI), amelyet szintén ő vezetett. 1968-ban részt vett az Európai Fizikai Társulat (EPS) megalakításában, számos hazai és külföldi tudományos társaság többek között az Indiai Tudományos Akadémia (Bangalore), az Institute of Physics (London), a Nemzetközi Vákuum Unió (IUVSTA), a Nemzetközi Világítástechnikai Bizottság (CIE) tagja volt. 1975-ben vonult nyugdíjba, 1978-ban hunyt el.

Sikeres kutatói pályája során rengeteg szabadalmat jegyeztetett be, melyek közül különösen a félvezetőkkel kapcsolatos újításai voltak fontosak. 1970-ben úttörő eredmény volt az Si-alapú félvezető heteroátmenetek megvalósítása,.a későbbiekben ő indította el a III-V félvezető alapú mikrohullámú eszközök kutatását, a Gun-dióda, a félvezető lézerek és a CCD optikai eszköz, továbbá az akusztikus felületi hullámszűrők alapkutatásait. Ezekből sikeres MFKI- és MFA-termékek valósultak meg.

A félvezető-kutatások terén a Szigeti-iskola tagjai, például Ferenczi György kiemelkedő eredményeket értek el.